普通厚膜电阻及部分薄膜电阻的端电极常含有银（Ag），而在存在硫化氢（H₂S）、二氧化硫（SO₂）等含硫气体的环境中，银会发生 “银迁移（Ag Migration）” 现象 —— 银离子与含硫气体反应生成硫化银（Ag₂S）。由于硫化银的导电性能接近绝缘体，会直接导致电阻阻值（Resistance Value）剧烈漂移，严重时甚至引发开路失效（Open Failure），使电阻彻底丧失功能。

电容机械裂多为 “隐性故障”（微裂纹初期不影响电性能，后期在振动 / 温度循环下扩大，导致失效），需重视 “预防” 而非 “事后维修”； 同一电路中，若存在多个高机械应力风险点（如电机 + 连接器），需同时采用 “软端电容 + 对称布局 + 激光分板” 组合方案，最大化降低风险。

高精密薄膜电阻（TCR系列）凭借其先进的薄膜技术和精密制造工艺，在多个关键性能指标上表现卓越，能满足各类对精度和稳定性要求极高的电子应用需求。